Texas Instruments THS4513EVM Evaluation Module THS4513EVM THS4513EVM 데이터 시트

SLOS472E – AUGUST 2005 – REVISED JANUARY 2013

This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.

ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.

THS4513RGTT

–40°C to +85°C

—

THS4513RGTR

(1)

For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at

(2)

This package is available taped and reeled. The R suffix standard quantity is 3000. The T suffix standard quantity is 250.

(3)

The exposed thermal pad is electrically isolated from all other pins.

Over operating free-air temperature range, unless otherwise noted.

V

S–

to V

S+

Supply voltage

6 V

V

I

Input voltage

±V

S

V

ID

Differential input voltage

4 V

I

O

Output current

(2)

200 mA

Continuous power dissipation

See

Table

T

J

Maximum junction temperature

+150°C

T

A

Operating free-air temperature range

–40°C to +85°C

T

STG

Storage temperature range

–65°C to +150°C

HBM

2000 V

ESD ratings

CDM

1500 V

MM

100 V

(1)

Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods may
degrade device reliability. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond
those specified is not implied.

(2)

The THS4513 incorporates a (QFN) exposed thermal pad on the underside of the chip. This pad acts as a heatsink and must be
connected to a thermally dissipative plane for proper power dissipation. Failure to do so may result in exceeding the maximum junction
temperature which could permanently damage the device. See TI technical briefs

and

for more information about

utilizing the QFN thermally-enhanced package.

RGT (16)

2.4°C/W

39.5°C/W

2.3 W

225 mW

2

Copyright © 2005–2013, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Links: