Texas Instruments Evaluation Module for Positive Voltage, Power-Limiting Hotswap Controller TPS24710EVM-003 TPS24710EVM-003 데이터 시트

Part of

TPS2471x

M

1

To Load

GND

GATE

From Source

R

GATE

1 kΩ

C

GATE

S0509-02

I
30 A

GATE

μ

GATE

GATE

RS

VCC

t

C

I

C

V

æ

ö

D

=

´

-

ç

÷

è

ø

SLVSAL2E – JANUARY 2011 – REVISED NOVEMBER 2013

To select the gate capacitance, use

. I

GATE

is the nominal gate charge current. This equation

assumes that the MOSFET C

GD

is the controlling element as the gate and output voltage rise. C

GD

is non-linear

with applied V

DG

. An averaged estimate may be made using the MOSFET V

GS

vs Q

G

curve. Divide the charge

accumulated during the plateau region by the plateau V

GS

to get C

RS

.

(15)

Use of PG/PGb
Use the PG/PGb pin to control and coordinate a downstream dc/dc converter. If this is not done, then a long time
delay is needed to allow C

OUT

to fully charge before the converter starts. An undesirable latch-up condition can

be created between the TPS24710/11/12/13 output characteristic and the dc/dc converter input characteristic if
the converter starts while C

OUT

is still charging; the PG/PGb pin is one way to avoid this

Output Clamp Diode
Inductive loads on the output may drive the OUT pin below GND when the circuit is unplugged or during a
current-limit event. The OUT pin ratings can be satisfied by connecting a diode from OUT to GND. The diode
should be selected to control the negative voltage at the full short-circuit current. Schottky diodes are generally
recommended for this application.

Gate Clamp Diode
The TPS24710/11/12/13 has a relatively well-regulated gate voltage of 12 V to 15.5 V with a supply voltage V

VCC

higher than 4 V. A small clamp Zener from gate to source of M

1

is recommended if V

GS

of M

1

is rated below 12

V. A series resistance of several hundred ohms or a series silicon diode is recommended to prevent the output
capacitance from discharging through the gate driver to ground.

High-Gate-Capacitance Applications
Gate voltage overstress and abnormally large fault current spikes can be caused by large gate capacitance. An
external gate clamp Zener diode is recommended to assist the internal Zener if the total gate capacitance of M

1

exceeds about 4000 pF. When gate capacitor dV/dt control is used, a 1-k

Ω resistor in series with C

GATE

is

recommended (see

). If the series R-C combination is used for MOSFETs with C

ISS

less than 3000 pF,

then a Zener diode is not necessary.

26

Copyright © 2011–2013, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Links: