Texas Instruments Development Kit for TM4C129x,Tiva™ ARM® Cortex™ -M4 Microcontroller DK-TM4C129X DK-TM4C129X 데이터 시트

제품 코드
DK-TM4C129X
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페이지 2182
Figure 32-33. I
2
C Timing
I2CSCL
I2CSDA
I1
I2
I6
I7
I8
I5
I3
I9
I4
I10
32.19
Ethernet Controller
32.19.1
DC Characteristics
The parameters listed in Table 32-49 on page 2146, with the exception of
R
BIAS
, apply to transmit pins
of the Ethernet PHY, which are generally the
EN0TXOP
and
EN0TX0N
signals during standard
operation but can also be the
EN0RXIN EN0RXIP
signals if Auto-MDIX is enabled.
Table 32-49. Ethernet PHY DC Characteristics
Unit
Max
Nom
Min
Parameter Name
Parameter
4.92
4.87
4.82
Value of the pull-down resistor on the
RBIAS
pin
R
BIAS
V
1.05
1
0.95
100M transmit voltage
V
TPTD_100
%
2
-
-2
100M transmit voltage symmetry
V
TPTDSYM
%
5
-
-
Output overshoot
V
OVRSHT
V
2.8
2.5
2.2
10M transmit voltage
V
TPTD_10
mV
-
200
-
10Base-T Receive threshold
V
TH1
32.19.2
Clock Characteristics
Table 32-50. MOSC 25-MHz Crystal Specification
a
Unit
Max
Nom
Min
Parameter Name
Parameter
Parameter No.
MHz
-
25
-
Frequency
F
MOSC25
N1
ppm
±50
-
0
Frequency tolerance at operational
temperature
F
TOL
-
ppm
±5
-
-
Frequency stability at 1-year aging
T
STA
-
a. Refer to Table 32-23 on page 2119 for additional MOSC requirements.
Figure 32-34. MOSC Crystal Characteristics for Ethernet
OSC0
N1
December 13, 2013
2146
Texas Instruments-Advance Information
Electrical Characteristics