Fairchild Semiconductor N/A MMBTH81 데이터 시트

제품 코드
MMBTH81
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페이지 11
MPSH81 / MMBTH81
Typical Characteristics  
(continued)
PNP RF Transistor
(continued)
Input / Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
-10
-8
-6
-4
-2
0
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
A
P
A
CI
T
A
NC
E
 (
p
F
)
C     
ibo
 
f = 1.0 MHz
C     
obo 
Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (f  )
0.1
1
10
100
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
I   - COLLECTOR CURRENT (mA)
V  
  
- CO
L
L
EC
T
O
R
 VO
L
T
A
G
E (
V
)
 CE
C
-
-
-
-
T
 200 MHz
 500 MHz
 900 MHz
 200 MHz
 500 MHz
1200 MHz
 1500 MHz
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE (  C)
P  
 -
 P
O
W
E
DI
SS
IP
A
T
IO
N (
m
W
)
D
 SOT-23
  TO-92
°
Base-Emitter ON  Voltage
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I   - COLLE CTOR CURRENT (mA)
V    
     
B
A
SE-
E
M
IT
T
E
R
 O
N
 VO
L
T
A
G
E (
V
)
BE
(O
N
)
C
V      = 10V
CE
 
-
-
-
-
A
T   = 25°C
A
T   = 100°C
A
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current 
0.1
1
10
100
-1.6
-1.4
-1.2
- 1
-0.8
-0.6
-0.4
I   - COLLECTOR CURRENT (mA)
  
   
  
   
- B
A
SE
-
E
M
IT
T
E
R
 S
A
T
. V
O
L
T
A
G
(V
)
BE
(
S
A
T
)
C
-
-
-
-
T   =   55°C
A
-
T   = 25°C
A
T   = 125°C
A
I    = 10 I
C
 
Collector Reverse Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
T   - AM BIENT TE MPE RATURE (  C)
   
  -
 C
O
L
L
E
C
T
O
R
 R
E
V
E
R
S
E
 C
U
R
R
E
N
T
 (
nA
)
CE
S
A
V     = -6.0V
CE
 
V     = -3.0V
CE
 
°