Trinamic TMC603-EVAL evaluation Board TMC603-EVAL 데이터 시트

TMC603 DATA SHEET (V. 1.05 / 11. Mar. 2009) 

11 

 
 
Copyright © 2008 TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG 

 
A  zener  diode  at  the  gate  (range  12V  to  15V)  protects  the  high-side  MOSFET  in  case  of  a  short  to 
GND event: Should the bridge be shorted, the gate driver output is forced to stay at a maximum of the 
zener  voltage  above  the  source  of  the  transistor.  Further  it  prevents  the  gate  voltage  from  dropping 
below source level.  
 
The maximum permissible MOSFET driver current depends on the motor supply voltage: 
 

MOSFET driver current with V

VM

 < 30V 

I

HSX

, I

LSX

 

150 

mA 

MOSFET driver current with 30V < V

VM

 < 50V 

 

150-2.5*(V

VM

-30V) 

mA 

MOSFET driver current with V

VM

 = 50V 

I

HSX

, I

LSX

 

100 

mA 

 
 

LSx 

Low side MOSFET driver output. The driver current is set by resistor R

SLP

 

HSx 

High side MOSFET driver output. The driver current is set by resistor R

SLP

 

BMx 

Bridge center used for current sensing and for control of the high side driver.  
For unused bridges, connect BMx pin to GND and leave the driver outputs 
unconnected.  Place the external protection resistor near the IC pin. 

RSLP 

The resistor connected to this pin controls the MOSFET gate driver current. A 40µA 
current out of this pin (resistor value of 100k  to GND) results in the nominal 
maximum current at full supply range. Keep interconnection between IC and resistor 
short, to avoid stray capacitance to adjacent signal traces of modulating the set 
current. 

Resistor range: 60 k  to 500 k  

VLS 

Low side driver supply voltage for driving low side gates 

VCP 

Charge pump supply voltage. Provides high side driver supply 

GNDP 

Power GND for MOSFET drivers, connect directly to GND 

BHx 

High side driver control signal: A positive level switches on the high side.  
For unused bridges, tie to GND. 

BLx 

Low side driver control signal: Polarity can be reversed via INV_BL 

INV_BL 

Allows inversion of BLx input active level (low: BLx is active high). 

When high, each BLx and BHx can be connected in parallel in order to use only 3 
PWM outputs for bridge control. Be sure to switch on internal break-before-make logic 
(BBM_EN = Vcc) to avoid bridge short circuits in this case. 

 
 
5.2.2 

Each  half-bridge  has  to  be  protected  against  cross  conduction  during  switching  events.  When 
switching  off  the  low-side  MOSFET,  its  gate  first  needs  to  be  discharged,  before  the  high  side 
MOSFET is allowed to be switched on. The same goes when switching off the high-side MOSFET and 
switching  on  the  low-side  MOSFET.  The  time  for  charging  and  discharging  of  the  MOSFET  gates 
depends  on  the  MOSFET  gate  charge  and  the  driver  current  set  by  R

SLP

.  When  the  BBM  logic  is 

enabled,  the  TMC603  measures  the  gate  voltage  and  automatically  delays  switching  on  of  the 
opposite  bridge  transistor,  until  its  counterpart  is  discharged.  The  BBM  logic  also  prevents 
unintentional  bridge  short  circuits,  in  case  both,  LSx  and  HSx,  become  switched  on.  The  first  active 
signal has priority. 
 
Alternatively,  the  required  time  can  be  calculated  and  pre-compensated  in  the  PWM  block  of  the 
microcontroller driving the TMC603 (external BBM control).