Trinamic TMC603-EVAL evaluation Board TMC603-EVAL 데이터 시트

제품 코드
TMC603-EVAL
다운로드
페이지 41
TMC603 DATA SHEET (V. 1.05 / 11. Mar. 2009) 
13 
 
 
Copyright © 2008 TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG 
TMC603
PWM1 
OUT1
Microcontroller 
with BLDC PWM 
unit
BH1
BL1
PWM1 
OUT2
TMC603
PWM1 
OUT
Microcontroller with 
3 PWM outputs
BH1
BL1
INV_BL
BBM_EN
+V
CC
Block (Hall or hallFX) or 
sine commutated BLDC 
motor
Sine commutated BLDC 
motor
TMC603
PWM1 
OUT
Microcontroller 
with 3 PWM 
outputs
BH1
BL1
Block (Hall) commutated 
BLDC motor
DIG 
OUT
TMC603
PWM1 
OUT
Microcontroller with 
3 PWM outputs
BH1
BL1
INV_BL
BBM_EN
+V
CC
Block (Hall) or sine 
commutated BLDC 
motor
DIG OUT / 
HI-Z
2k2
TMC603
Microcontroller 
with 1 PWM output
BH1
BL1
ENABLE
/ERR_OUT
BBM_EN
+V
CC
Block (hallFX) 
commutated BLDC 
motor
DIG OUT
DIG OUT
PWM1 
OUT
2k2
DIG IN
 
figure 7: examples for microcontroller PWM control 
 
5.2.4 
Slope control 
The TMC603 driver stage provides a constant current output stage slope control. This allows to adapt 
driver  strength  to  the  drive  requirements  of  the  power  MOSFET  and  to  adjust  the  output  slope  by 
providing  for  a  controlled  gate  charge  and  discharge.  A  slower  slope  causes  less  electromagnetic 
emission,  but  at  the  same  time  power  dissipation  of  the  power  transistors  rises.  The  duration  of  the 
complete switching event depends on the total gate charge. The voltage transition of the output takes 
place during the so called miller plateau (see figure 6). The miller plateau results from the gate to drain 
capacity  of  the  MOSFET  charging  /  discharging  during  the  switching.  From  the  datasheet  of  the 
transistor (see example in  figure 8) it can be seen, that the miller plateau typically covers only a part 
(e.g.  one  quarter)  of  the  complete  charging  event.  The  gate  voltage  level,  where  the  miller  plateau 
starts, depends on the gate threshold voltage of the transistor and on the actual load current. 
 
MOSFET gate charge vs. switching event
Q
G
 
– Total gate charge (nC)
V
G
S
 –
 G
a
te
 t
o
 s
o
u
rc
e
 v
o
lt
a
g
e
 (
V
)
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
V
D
S
 –
 D
ra
in
 t
o
 s
o
u
rc
e
 v
o
lt
a
g
e
 (
V
)
25
20
15
10
5
0
V
M
Q
MILLER
 
figure 8: MOSFET gate charge as available in device data sheet vs. switching event