Справочник Пользователя для Transcend 128MB SDRAM PC133 Unbuffer Non-ECC Memory TS16MLS64V6C

 

 

 

Voltage on any pin relative to Vss 

V

IN

, V

OUT

 -1.0~4.6 

V 

Voltage on V

DD

 supply to Vss 

V

DD

, V

DDQ

 -1.0~4.6 

V 

Storage temperature 

T

STG

 -55~+150 

°C 

Power dissipation 

P

D

 8  W 

Short circuit current 

I

OS

 50  mA 

Mean time between failure 

MTBF 

50 

year 

Temperature Humidity Burning 

THB 

85

°C/85%, Static Stress 

°C-% 

Temperature Cycling Test 

TC 

0

°C ~ 125°C Cycling 

°C 

Note:   Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded. 
 

Functional operation should be restricted to recommended operating condition. 

Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device 
reliability. 

°C)  

Supply voltage 

V

DD

 3.0 3.3 3.6  V 

 

Input high voltage 

V

IH

 2.0 3.0 

V

DD

+0.3 V 

1 

Input low voltage 

V

IL

 -0.3  0  0.8  V 

2 

Output high voltage 

V

OH

 2.4  - 

- 

V IOH=-2mA 

Output low voltage 

V

OL

 -  -  0.4 V IOL=2mA 

Input leakage current (Inputs) 

I

IL

 -8  -  8 uA  3 

Note:  1. V

IH

 (max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is 

≤ 3ns. 

2. V

IL

 (min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is 

≤ 3ns. 

3. Any input 0V 

≤ V

IN 

≤ V

DDQ. 

    Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs. 

 
 
 

°C, f = 1MHz) 

Input capacitance (A

0

~A

11

, BA

0

~ BA

1

) 

Input capacitance (/RAS, /CAS, /WE) 
Input capacitance (CKE0~CKE1) 
Input capacitance (CLK0~CLK3) 
Input capacitance (/CS0~/CS3) 
Input capacitance (DQM0~DQM7) 
Data input/output capacitance (DQ0~DQ63) 

C

IN1

 

C

IN2

 

C

IN3

 

C

IN4

 

C

IN5

 

C

IN6

 

C

OUT

 

25 
25 
15 
10 
10 
10 
13 

45 
45 
25 
15 
13 
15 
18 

pF 
pF 
pF 
pF 
pF 
pF 
pF 

Transcend information Inc.

 

 

5