Diotec Bipolar transistor Emitter reverse vo MPSA42 Datenbogen

MPSA42

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 

I

C

 = 20 mA, I

B

 = 2 mA

V

BEsat

–

–

0.9 V

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V

CE 

= 10 V, I

C 

= 1 mA

V

CE

 = 10 V, I

C 

= 10 mA

V

CE

 = 10 V, I

C 

= 30 mA

h

FE

h

FE

h

FE

25

40

40

–

–

–

–

–

–

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V

CE

 = 20 V, I

C

 = 10 mA, f = 100 MHz

f

T

50 MHz

–

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

V

CB

 = 20 V, I

E

 = i

e

 = 0, f = 1 MHz

MPSA42

C

CB0

–

–

3 pF

Thermal resistance junction – ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

< 200 K/W 

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

MPSA92

1

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Power dissipation versus ambient temperature  )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

1

1