Elixir 2GB DDR3-1066MHz SO-DIMM M2N2G64CB8HA5N-BE User Manual

Product codes
M2N2G64CB8HA5N-BE
Page of 19
M2N1G64CBH8A5P / M2N2G64CB8HA5N 
1GB: 128M x 64 / 2GB: 256M x 64  
Unbuffered DDR3 SO-DIMM
                                              
 
REV1.1
 
04/2009 
©  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
 
 
Serial Presence Detect -- 
Part 1 of 2 (1GB) 
128Mx64 2Ranks DDR3 SODIMM based on 64Mx16, 1.5V DDR3 SDRAMs with SPD
 
Byte 
Description 
SPD Entry Value 
Serial PD Data Entry 
(Hexadecimal) 
Note 
-BE 
-CG 
-BE 
-CG 
CRC range, EEPROM bytes, bytes used 
CRC Covers Bytes: 0~116,  
Total SPD Bytes: 256,  
SPD Bytes Used: 176,  
92 
 
SPD revision 
Revision 10 
10 
 
DRAM device type 
DDR3 SDRAM 
0B 
 
Module type (form factor) 
SO-DIMM 
03 
 
SDRAM Device density and banks 
8 banks, 1Gb 
02 
 
SDRAM device row and column count 
13 rows, 10 columns 
09 
 
Reserved 
Undefined 
00 
 
Module ranks and device DQ count 
2 ranks, 16 bits 
0A 
 
ECC tag and module memory Bus width 
Non ECC, 64bits 
03 
 
Fine timebase dividend/divisor (in ps) 
2.5ps 
52 
 
10 
Medium timebase dividend 
1ns 
01 
 
11 
Medium timebase divisor 
8ns 
08 
 
12 
Minimum SDRAM cycle time (tCKmin) 
1.875ns 
1.5ns 
0F 
0C 
 
13 
Reserved 
Undefined 
00 
 
14 
CAS latencies supported 
6,7,8 
6,8,9 
1C 
34 
 
15 
CAS latencies supported 
Undefined 
00 
 
16 
Minimum CAS latency time (tAAmin) 
13.125ns 
13.5ns 
69 
6C 
 
17 
Minimum write recovery time (tWRmin) 
15ns 
78 
 
18 
Minimum CAS-to-CAS delay (tRCDmin) 
13.125ns 
13.5ns 
69 
6C 
 
19 
Minimum Row Active to Row Active delay (tRRDmin) 
10ns 
7.5ns 
50 
3C 
 
20 
Minimum row Precharge delay (tRPmin) 
13.125ns 
13.5ns 
69 
6C 
 
21 
Upper nibble for tRAS and tRC 
1,1 
11 
 
22 
Minimum Active-to-Precharge delay (tRASmin) 
37.5ns 
36ns 
2C 
20 
 
23 
Minimum Active-to-Active/Refresh delay (tRCmin) 
50.625ns 
49.5ns 
95 
8C 
 
24 
Minimum refresh recovery delay (tRFCmin) LSB 
(Combo bytes 24,25) 
70 
 
25 
Minimum refresh recovery delay (tRFCmin) MSB 
110ns 
03 
 
26 
Minimum internal Write-to-Read command delay (tWTRmin) 
7.5ns 
3C 
 
27 
Minimum internal Read-to-Precharge command delay 
(tRTPmin) 
7.5ns 
3C 
 
28 
Minimum four active window delay (tFAWmin) LSB 
(Combo byte 28, 29) 
01 
 
29 
Minimum four active window delay (tFAWmin) MSB 
50ns 
45ns 
90 
68 
 
30 
SDRAM device output drivers suported 
RZQ / 6, 
RZQ / 7, 
DLL-Off Mode Support, 
83 
 
31 
SDRAM device thermal and refresh options 
Extended Temperature Range, 
ASR, 
ODTS, 
PASR, 
8D 
 
32 
Module thermal sensor 
Non Thermal Sensor Support 
00 
 
33 
SDRAM device type 
Standard Monolithic Device 
00 
 
34-59  Reserved 
Undefined 
-- 
 
60 
Module height (nominal) 
29 < height ≦ 30 mm 
0F