Analog Devices ADP1879 Evaluation Board ADP1879-1.0-EVALZ ADP1879-1.0-EVALZ Hoja De Datos

Los códigos de productos
ADP1879-1.0-EVALZ
Descargar
Página de 40
Data
 Sheet
 
ADP1878/ADP1879
 
Rev. B | Page 19 of 40 
Table 5. Power Input and LDO Output Configurations 
VIN VREG  Comments 
>5.5 V 
Float 
Must use the LDO 
<5.5 V 
Connect to VIN 
LDO drop voltage is not 
realized (that is, if VIN = 2.75 V, 
then VREG = 2.75 V) 
<5.5 V 
Float 
LDO drop is realized 
VIN ranging 
above and 
below 5.5 V 
Float 
LDO drop is realized, minimum 
VIN recommendation is 2.95 V 
THERMAL SHUTDOWN 
Thermal shutdown is a protection feature that prevents the IC 
from damage caused by a very high operating junction temper-
ature. If the junction temperature of the device exceeds 155°C, 
the device enters the thermal shutdown state. In this state, the 
device shuts off both the high- and low-side MOSFETs and disables 
the entire controller immediately, thus reducing the power con-
sumption of the IC. The device resumes operation after the 
junction temperature of the device cools to less than 140°C. 
PROGRAMMING RESISTOR (RES) DETECT CIRCUIT 
Upon startup, one of the first blocks to become active is the RES 
detect circuit. This block powers up before soft start begins. It 
forces a 0.4 V reference value at the RES pin (see Figure 68) and is 
programmed to identify four possible resistor values: 47 kΩ, 22 kΩ, 
open, and 100 kΩ.  
The RES detect circuit digitizes the value of the resistor at the 
RES pin (Pin 6). An internal ADC outputs a 2-bit digital code 
that is used to program four separate gain configurations in the 
current sense amplifier (see Figure 69). Each configuration corre-
sponds to a current sense gain (A
CS
) of 3 V/V, 6 V/V, 12 V/V, or 
24 V/V, respectively (see Table 6 and Table 7). This variable is used 
for the valley current-limit setting, which sets up the appropriate 
current sense gain for a given application and sets the compensation 
necessary to achieve loop stability (see the Valley Current-Limit 
Setting s
ection and the Compensation Network section). 
 
Figure 68. Programming Resistor Location 
 
Figure 69. RES Detect Circuit for Current Sense Gain Programming 
Table 6. Current Sense Gain Programming 
Resistor A
CS
 
47 kΩ 
3 V/V 
22 kΩ 
6 V/V 
Open 12 
V/V 
100 kΩ 
24 V/V 
VALLEY CURRENT-LIMIT SETTING 
The architecture of th
 is based on valley 
current-mode control. The current limit is determined by three 
components: the R
ON
 of the low-side MOSFET, the output voltage 
swing of the current sense amplifier, and the current sense gain. 
The output range of the current sense amplifier is internally 
fixed at 1.4 V. The current sense gain is programmable via an 
external resistor at the RES pin (see the Programming Resistor 
(RES) Detect Circuit sec
tion). The R
ON
 of the low-side MOSFET 
can vary over temperature and usually has a positive T
C
 (meaning 
that it increases with temperature); therefore, it is recommended to 
program the current sense, gain resistor based on the rated R
ON
 of 
the MOSFET at 125°C. 
Because th
 are based on valley current 
control, the relationship between I
CLIM
 and I
LOAD
 is 
1
2
 
where:  
K
I
 is the ratio between the inductor ripple current and the 
desired average load current (see Figure 70). 
I
CLIM
 is the desired valley current limit. 
I
LOAD
 is the current load. 
Establishing K
I
 helps to determine the inductor value (see the 
Inductor Selection section), but in most cases, K
I
 = 0.33.  
 
Figure 70. Valley Current Limit to Average Current Relation 
 
DRVH
DRVL
Q1
SW
Q2
RES
CS GAIN
PROGRAMMING
094
41
-068
SW
PGND
CS GAIN
SET
CS
AMP
ADC
RES
0.4V
09
44
1-
0
69
LOAD CURRENT
VALLEY CURRENT LIMIT
RIPPLE CURRENT =
I
LOAD
3
09
44
1-
07
0