Freescale Semiconductor MPC830x PowerQUICC II Pro Processor Evaluation Kit MPC8309-KIT MPC8309-KIT Fiche De Données

Freescale Semiconductor

15

 

This section provides the AC electrical characteristics for the DDR2 SDRAM interface.

This table provides the input AC timing specifications for the DDR2 SDRAM (GV

DD

(typ) = 1.8 V).

The following table provides the input AC timing specifications for the DDR2 SDRAM interface.

I/O supply voltage

GV

DD

1.7

1.9

V

1

I/O reference voltage

MVREF

0.49

× GV

DD

0.51

× GV

DD

V

2

I/O termination voltage

V

TT

MVREF – 0.04

MVREF + 0.04

V

3

Input high voltage

V

IH

MVREF+ 0.125

GV

DD

+ 0.3

V

—

Input low voltage

V

IL

–0.3

MVREF – 0.125

V

—

Output leakage current

I

OZ

–9.9

9.9

μA

4

Output high current (V

OUT

 = 1.35 V)

I

OH

–13.4

—

mA

—

Output low current (V

OUT

 = 0.280 V)

I

OL

13.4

—

mA

—

1. GV

DD

 is expected to be within 50 mV of the DRAM GV

DD 

at all times.

2. MVREF is expected to be equal to 0.5 

× GV

DD

, and to track GV

DD

 DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak 

noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.

3. V

TT

 is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be 

equal to MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.

4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V 

≤

 V

OUT

 

≤ 

GV

DD

.

Input/output capacitance: DQ, DQS

C

IO

6

8

pF

1

Delta input/output capacitance: DQ, DQS

C

DIO

—

0.5

pF

1

1. This parameter is sampled. GV

DD

 = 1.8 V ± 0.100 V, f = 1 MHz, T

A

  = 25 °C,  V

OUT

 = GV

DD

÷ 2, 

V

OUT

 (peak-to-peak) = 0.2 V.

At recommended operating conditions with GV

DD

 of 1.8 V± 100mV.

AC input low voltage

V

IL

—

MVREF

 

– 0.25

V

—

AC input high voltage

V

IH

MVREF

 

+ 0.25

—

V

—