Samsung 1GB 400MHz DDR M368L2923DUN-CCC 전단

                                                                                                                                                                                      (V

DD

=2.7V,  T = 10

°C)

* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and  can be differently measured  according to DQ loading cap.

IDD0

1,620

1,350

mA

IDD1

1,890

1,620

mA

IDD2P

90

90

mA

IDD2F

540

540

mA

IDD2Q

450

450

mA

IDD3P

810

540

mA

IDD3N

1,080

810

mA

IDD4R

1,940

1,670

mA

IDD4W

2,120

1,760

mA

IDD5

2,520

2,250

mA

IDD6

Normal

90

90

mA

Low power

54

54

mA

Optional

IDD7A

4,010

3,650

mA