Texas Instruments Single 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifier, Evaluation module LMV851EVAL/NOPB LMV851EVAL/NOPB 데이터 시트

제품 코드
LMV851EVAL/NOPB
다운로드
페이지 13
RF INPUT PEAK VOLTAGE (dBVp)
EMI
R
R
 
V
_PEAK
 
(d
B
)
100
80
60
40
20
0
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
400 MHz
900 MHz
1800 MHz
2400 MHz
Measurement Results for the LMV851/LMV852/LMV854
5.2
EMIRR Vs. Power
shows the EMIRR as a function of the RF peak level at four typical frequencies.
In
two areas can be distinguished. At the left side of the figure, the EMIRR increases as a
function of input level; whereas, at the right side, the EMIRR decreases as a function of the input level.
The left side of the figure is actually an artifact resulting from the limited accuracy of the measurement
setup. For the relatively low input levels, the resulting offset voltage shift is well below the noise level.
Thus, when calculating the EMIRR for that region, the ratio of the input level to the noise level is depicted.
As the noise level is constant for the setup, an increasing EMIRR is obtained for increasing input signal
level.
For the right side, the obtained offset-shift is well above the noise level. As the relation between offset
voltage shift and RF input level is quadratic, the ratio as used in the EMIRR is inversely proportional to the
RF input level, which is in line with the displayed slope of “
1”.
Figure 8. EMIRR vs. RF Input Peak Level for IN+
10
AN-1698 A Specification for EMI Hardened Operational Amplifiers
SNOA497B – September 2007 – Revised April 2013
Copyright © 2007–2013, Texas Instruments Incorporated