Texas Instruments Single 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifier, Evaluation module LMV851EVAL/NOPB LMV851EVAL/NOPB 데이터 시트

+

-

R

3

R

1

4.7 k

:

100

:

RFin

C

7

220 pF

C

4

100 pF

100 pF

V

DD

V

SS

OUT

R

2

4.7 k

:

R

5

10 k

:

220 pF

C

1

C

5

R

4

50

:

C

2

220 pF

R

6

10 k

:

+

+

100 pF

C

6

C

3

10 µF

Analogous to the circuit for testing the IN

−

pin, the circuit for testing the output pin requires a voltage gain

configuration. When applying an RF signal to the output pin, the IN

−

pin needs to be isolated. As the

sensitivity of the output pin is expected to be lower than the sensitivity of the input pin, a better isolation is
needed for this case. The schematic for coupling an RF signal to the output pin is depicted in

The resulting offset shift is again measured at the output. So, the equivalent input referred offset voltage
shift is found by dividing the obtained output voltage shift by the gain of the configuration: 1+(R

2

+R

3

)/R

1

.

Special attention needs to be paid to the isolation of the DC meter connected to the output. As the RF
signal is applied to the same node where the resulting offset voltage shift needs to be measured, a low-
pass filter (R

5

, R

6

, C

7

) is placed between the RF injection node and the DC meter. This low-pass filter

prevents the DC meter from detecting the applied RF signal which would directly affect the measurement
results.

8

SNOA497B – September 2007 – Revised April 2013

Copyright © 2007–2013, Texas Instruments Incorporated