Texas Instruments Single 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifier, Evaluation module LMV851EVAL/NOPB LMV851EVAL/NOPB 데이터 시트

FREQUENCY (MHz)

EMI

R

R

 

V_PEAK

 

(d

B

)

120

100

80

60

40

20

10

100

1000

10000

OUT

V

DD

IN-

IN+

V

SS

V

PEAK

 = -20 dBVp

The five test circuits that are described in

are used to perform EMIRR measurements on the

LMV851. The LMV851 is a single EMI hardened op amp with 8 MHz bandwidth. The supply voltages used
are 2.5V on the positive supply and

−

2.5V on the negative supply. Measurement results apply to the dual

version, LMV852, and the quad version, LMV854, as well.

To characterize the sensitivity of the various pins two types of measurement results are presented:

•

The EMIRR as a function of the frequency of the applied signal. The level of the signal is set to the
standard level of 100 mV

P

(

−

20 dBV

P

).

•

The EMIRR as a function of the level of the applied signal. The frequency is set to four typical values:
400 MHz, 900 MHz, 1.8 GHz, and 2.4 GHz.

depicts the EMIRR versus frequency for the various pins. The measurement is performed with a

fixed RF level of

−

20 dBV

P

and a varying RF signal frequency. The frequency range is 10 MHz to 1 GHz.

From these results several conclusions can be drawn. First, it is clearly visible that the IN+ and IN

−

pin do

have the same EMIRR. This was already noticed for reasons of input stage symmetry. Second, the V

DD

,

V

SS

and OUT pins have a significantly higher EMIRR than the input pins. This is also quite logical as the

inputs are meant to be sensitive for signals. It should be noted, however, that the supply and output pins
are not generally more robust than the input pins. An op amp needs to be designed specifically for having
high EMIRR for those pins as well.

9

SNOA497B – September 2007 – Revised April 2013

Copyright © 2007–2013, Texas Instruments Incorporated