Texas Instruments Development Kit for TM4C129x,Tiva™ ARM® Cortex™ -M4 Microcontroller DK-TM4C129X DK-TM4C129X 데이터 시트

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DK-TM4C129X
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페이지 2182
Figure 32-17. ESD Protection for Non-Power Pins (Except WAKE Signal)
Table 32-37. Non-Power I/O Pad Voltage/Current Characteristics
abc
Unit
Max
Nom
Min
Parameter Name
Parameter
V
V
DD
+0.3
V
DD
-0.3
IO pad voltage limits if voltage protected
V
IO
d
nA
400
-
-
Positive IO leakage for V
DD
≤ V
IN
≤V
IO
MAX
e
I
LKG+
µA
60
-
-
Negative IO leakage for V
IO
MIN ≤ V
IN
≤ 0V
e
I
LKG-
mA
2
-
-
Max positive injection if not voltage protected
f
I
INJ+
mA
-0.5
-
-
Max negative injection if not voltage protected
f
I
INJ-
a. To avoid potential damage to the part, either the voltage or current on the non-Power, non-WAKE input/outputs should
be limited externally as shown in this table.
b. Note that for the ADC's external reference inputs, care must be taken to avoid a current limiting resistor (refer to IVREF
c. I/O pads should be protected if at any point the IO voltage has a possibility of going outside the limits shown in the table.
If the part is unpowered, the IO pad Voltage or Current must be limited (as shown in this table) to avoid powering the
part through the IO pad, causing potential irreversible damage.
d. The Hibernate
XOSC
pins are non-failsafe and should follow the limits for V
IO
with respect to both V
DD
and V
BAT
. Thus V
IO
for the HIB XOSC pins should also fall within a MIN of -0.3 and a MAX of V
BAT
+ 0.3.
e. MIN and MAX leakage current for the case when the I/O is voltage protected to V
IO
Min or V
IO
Max.
f. If the I/O pad is not voltage limited, it should be current limited (to I
INJ
+ and I
INJ-
) if there is any possibility of the pad voltage
exceeding the V
IO
limits (including transient behavior during supply ramp up, or at any time when the part is unpowered).
32.15
External Peripheral Interface (EPI)
Table 32-38. EPI Interface Load Conditions
Load Value (C
L
)
Signals
30 pF
EPI0S[35:0] SDRAM interface
EPI0S[35:0] General-Purpose interface
EPI0S[35:0] Host-Bus interface
40 pF
EPI0S[35:0] PSRAM interface
When the EPI module is in SDRAM mode, EPI CLK must be configured to 12 mA. The EPI data
bus can be configured to 8 mA. Table 32-39 on page 2130 shows the rise and fall times in SDRAM
mode. When the EPI module is in Host-Bus or General-Purpose mode, the values in “Input/Output
Pin Characteristics” on page 2126 
should be used.
2129
December 13, 2013
Texas Instruments-Advance Information
Tiva
TM4C129XNCZAD Microcontroller